Transistor IXYN100N60B3H1 à faible perte pour commutation

Performance Thermique du Module IXYN100N60B3H1

Conçu pour minimiser les pertes par conduction, ce module IGBT permet de réduire l'élévation de température au sein des armoires électriques fermées. Sa structure interne favorise un échange calorifique direct avec le dissipateur en aluminium.

Une commutation fluide pour vos systèmes

La technologie intégrée dans la série IXYN100N60B3H1 permet d'atteindre des fréquences de travail élevées tout en limitant les perturbations électromagnétiques de votre réseau de distribution.

Détails de la configuration du matériel

1. Boîtier isolé de type standard pour montage en saillie sécurisé.
2. Connexions renforcées pour supporter les appels de courant lors du démarrage des charges inductives.
3. Diode de roue libre intégrée pour protéger le transistor contre les tensions inverses destructrices.

Données physiques et géométriques

L'implantation de ce module nécessite le respect des cotes d'entraxe pour garantir une pression uniforme sur la pâte thermique :

• Poids moyen de la pièce : 32 grammes
• Fixation : double vis avec rondelles élastiques non fournies
• Température maximale de jonction : 150 degrés Celsius